人體放電模式(Human-Body Model, HBM)產(chǎn)生的ESD是指因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當(dāng)此人去碰觸到IC時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由電子元器件而進(jìn)入電子元器件內(nèi)，再經(jīng)由電子元器件放電到地去，如圖1(a)所示。此放電的過程會(huì)在短到幾百毫微秒(ns)的時(shí) 間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)安培的瞬間放電電流，此電流會(huì)把電子元器件內(nèi)的元件燒毀。 不同HBM靜電電壓相對(duì)產(chǎn) 生的瞬間放電電流與時(shí)間的關(guān)系見于圖1(b)。對(duì)一般商用IC的2-KV ESD放電電壓而言，其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。
圖1(a)HBM的ESD發(fā)生情形
圖1(b)在不同HBM靜電電壓下，其靜電放電之電流與時(shí)間的關(guān)系
有關(guān)于HBM的ESD已有工業(yè)測(cè)試的標(biāo)準(zhǔn)，為現(xiàn)今各國用來判斷IC之ESD可靠度的重要依據(jù)。圖2顯示此工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) (MIL-STD-883Cmethod 3015.7)的等效電路圖，其中人體的 等效電容定為100pF，人體的等效放電電阻定為1.5K Ω。另\外在國際電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(EIA/JEDEC STANDARD)中 ，亦對(duì)此人體放電模式訂定測(cè)試規(guī)范(EIA/JESD22-A114-A)，詳細(xì)情形請(qǐng)參閱該工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
表1人體放電模式(HBM)的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試等效電路及其耐壓能力等級(jí)分類
CLASSIFICATION |
Sensitivity |
Class1 |
0 to 1,999Volts |
Class2 |
2,000 to3,999 Volts |
Class3 |
4,000 to15,999 Volts |
