電子廠無塵室防護(hù)措施
一、電子廠無塵室須知
1. 進(jìn)入電子廠無塵室前，必須知會(huì)管理人，并通過基本訓(xùn)練。
2. 進(jìn)入電子廠無塵室嚴(yán)禁吸煙，吃(飲)食，外來雜物(如報(bào)章，雜志，鉛筆...等)不可攜入，并嚴(yán)禁嘻鬧奔跑及團(tuán)聚談天。
3. 進(jìn)入電子廠無塵室前，需在規(guī)定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內(nèi)，外衣置于衣柜內(nèi)，私人物品置于私人柜內(nèi)，柜內(nèi)不可放置食物。
4.進(jìn)入電子廠無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規(guī)定依程序穿戴整齊，再經(jīng)空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯(洗塵室地板上)方得進(jìn)入。
5. 戴口罩時(shí)，應(yīng)將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時(shí)污染芯片。
6. 穿著無塵衣，無塵帽前應(yīng)先整理服裝以及頭發(fā)，以免著上無塵衣后，不得整理又感不適。
7. 整肅儀容后，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系:
(1)頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內(nèi)，不得外露。
(2)無塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。
8.無塵帽戴妥后，再著無塵衣，無塵衣應(yīng)尺吋合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時(shí)應(yīng)注意帽之下擺應(yīng)保平整之狀態(tài)，無塵衣不可反穿。
9. 穿著無塵衣后，才著鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實(shí)蓋在褲管之上。
10. 戴手套時(shí)應(yīng)避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處(防止鈉離子污染)，戴上手套后，應(yīng)將手套之手腕置于衣袖內(nèi)，以隔絕污染源。
11. 無塵衣著妥后，經(jīng)洗塵，并踩踏除塵毯，方得進(jìn)入無塵室。
12. 不論進(jìn)入或離開無塵室，須按規(guī)定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區(qū)域?yàn)橹炔豢稍跓o塵室內(nèi)邊走邊脫。
13. 無塵衣，鞋套等，應(yīng)定期清洗，有破損，脫線時(shí)，應(yīng)即換新。
14. 脫下無塵衣時(shí)，其順序與穿著時(shí)相反。
15. 脫下之無塵衣應(yīng)吊好，并放于更衣室內(nèi)上層柜子中;鞋套應(yīng)放置于吊好的無塵衣下方。
16. 更衣室內(nèi)小柜中，除了放置無塵衣等規(guī)定物品外，不得放置其它物品。
17. 除規(guī)定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。
18. 無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置于規(guī)定處所。
19. 口罩與手套可視狀況自行保管或重復(fù)使用。
20. 任何東西進(jìn)入無塵室，必須用灑精擦拭干凈。
21. 任何設(shè)備的進(jìn)入，請知會(huì)管理人，在無塵室外擦拭干凈，方可進(jìn)入。
22. 未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當(dāng)處理，例如關(guān)閉水、電、氣體等開關(guān)。
23. 無塵室內(nèi)**不可動(dòng)火，以免發(fā)生意外。
二、無塵室操作須知
1.  處理芯片時(shí)，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的芯片須經(jīng)清洗，方得繼續(xù)使用：
(1) 任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。
(2) 芯片清洗后進(jìn)行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。
(3)把芯片放置于石英舟上，準(zhǔn)備進(jìn)爐管時(shí)，若發(fā)現(xiàn)所用鑷子有污損現(xiàn)象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。
2. 芯片必須放置盒中，蓋起來存放于規(guī)定位置，盡可能不讓它暴露。
3.避免在芯片上談話，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進(jìn)擴(kuò)散爐前，請?zhí)貏e注意，防止上述動(dòng)作產(chǎn)生，若芯片上沾有纖維屑時(shí)，用氮**噴之。
4. 從鐵弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出芯片時(shí)，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。
5. 芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。
6. 操作時(shí)，不論是否戴上手套，手絕不能放進(jìn)清洗水槽。
7. 使用化學(xué)站或烤箱處理芯片時(shí)，務(wù)必將芯片置放于鐵弗龍晶舟內(nèi)，不可使用塑料盒。
8. 擺置芯片于石英舟時(shí)，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進(jìn)氧化爐。
9. 請勿觸摸芯片盒內(nèi)部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。
10. 手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺(tái)，手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。
11. 非經(jīng)指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關(guān)閥控制鈕或把手。
12. 奇怪的味道或反應(yīng)異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關(guān)人員。
13. 儀器因操作錯(cuò)誤而有任何損壞時(shí)，務(wù)必立刻告知負(fù)責(zé)人員或老師。
14. 芯片盒進(jìn)出無塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進(jìn)入。
15. 無塵室內(nèi)一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。
三、黃光區(qū)操作須知
1. 濕度及溫度會(huì)影響對準(zhǔn)工作，在黃光區(qū)應(yīng)注意溫度及濕度，并應(yīng)減少對準(zhǔn)機(jī)附近的人，以減少濕、溫度的變化。
2. 上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區(qū)以免感光。
3. 己上妥光阻，而在等待對準(zhǔn)曝光之芯片，應(yīng)放置于不透明之藍(lán)黑色晶盒之內(nèi)， 盒蓋必須蓋妥。
4. 光罩使用時(shí)應(yīng)持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩鉻膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮**吹之。
5. 曝光時(shí)，應(yīng)避免用眼睛直視曝光機(jī)汞燈。
四、鑷子使用須知
1. 進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室后，應(yīng)先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。
2. 唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。
3. 鑷子使用后，應(yīng)放于各站規(guī)定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應(yīng)自行保管，不可和實(shí)驗(yàn)室內(nèi)各站之鑷子混合使用。
4. 持鑷子應(yīng)采"握筆式"姿勢挾取芯片。
5. 挾取芯片時(shí)，順序應(yīng)由后向前挾取，放回芯片時(shí)，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。
6. 挾取芯片時(shí)，"短邊" (鋸狀頭)置于芯片正面，"長邊" (平頭)置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。
7. 嚴(yán)禁將鑷子接觸酸槽或D.I Water水槽中。
8. 鑷子僅可做為挾取芯片用，不準(zhǔn)做其它用途。
五、化學(xué)藥品使用須知
1. 化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記，并知會(huì)管理人，并附上物質(zhì)可靠資料表（MSDS）于實(shí)驗(yàn)室門口。
2. 使用化學(xué)藥品前，請?jiān)斪x物質(zhì)可靠資料表(MSDS)，并告知管理人。
3. 換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護(hù)鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進(jìn)行換酸工作。
4. 不得任意打開酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。
5. 稀釋酸液時(shí)，千萬記得加酸于水，絕不可加水于酸。
6. 勿嘗任何化學(xué)藥品或以嗅覺來確定容器內(nèi)之藥品。
7. 不明容器內(nèi)為何種藥品時(shí)，切勿搖動(dòng)或倒置該容器。
8. 所有化學(xué)藥品之作業(yè)均須在通風(fēng)良好或排氣之處為之。
9. 操作各項(xiàng)酸液時(shí)須詳讀各操作規(guī)范。
10. 酸類可與堿類共同存于有抽風(fēng)設(shè)備的儲(chǔ)柜，但絕不可與有機(jī)溶劑存放在一起。
11. 廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機(jī)溶液混合。
12. 廢棄有機(jī)溶液置放入有機(jī)廢液桶內(nèi)，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內(nèi)。
13. 勿任意更換容器內(nèi)溶液。
14.欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險(xiǎn)性時(shí)，必須經(jīng)評估后方可攜入，并請于容器上清楚標(biāo)明容器內(nèi)容物及保存期限。
15. 廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機(jī)、等，分開處理并登記，回收桶標(biāo)示清楚，廢液桶內(nèi)含氫氟酸等酸堿，**不可用手觸碰。
16.漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時(shí)，為確?？煽?，**不可用手觸碰，先將電源總開關(guān)與相關(guān)閥門關(guān)閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，并報(bào)備管理人。
六、化學(xué)工作站操作
1.   操作時(shí)須依規(guī)定，戴上橡皮手套及口罩。
2.   不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。
3.   添加任何溶液前，務(wù)必事先確認(rèn)容器內(nèi)溶劑方可添加。
4.  在化學(xué)工作站工作時(shí)應(yīng)養(yǎng)成良好工作姿勢，上身應(yīng)避免前傾至化學(xué)槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險(xiǎn)發(fā)生，另一方面亦減少污染機(jī)會(huì)。
5.   化學(xué)站不操作時(shí)，有蓋者應(yīng)隨時(shí)將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關(guān)關(guān)上。
6.  化學(xué)藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時(shí)，應(yīng)即用水沖洗濺傷部位15分鐘以    上，且必須皮膚顏色恢復(fù)正常為止，并立刻安排急救處理。
7.   化學(xué)品外泄時(shí)應(yīng)迅速反應(yīng)，并做適當(dāng)處理，若有需要撤離時(shí)應(yīng)依指示撤離。
8.   各化學(xué)工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機(jī)臺(tái)及工作臺(tái)，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。
七、RCA Method
1.   DIWater                  5min
2.  H2SO4:H2O2=3:1            煮10~20min 75~85℃，去金屬、有機(jī)、油
3.   DIWater                  5min
4.  HF:H2O                   10~30sec，去自然氧化層(Native Oxide)
5.   DIWater                  5min
6.   NH4OH:H2O2;H2O=1:1:5     煮10~20min 75~85℃，去金屬有機(jī)
7.   DIWater                  5min
8.  HCl:H2O2:H2O=1:1:6        煮10~20min  75~85 ℃  去離子
9.   DIWater                  5min
10.  Spin Dry
八、清洗注意事項(xiàng)
1. 有水則先倒水﹐H2O2濟(jì)后倒﹐數(shù)字比為體積比。
2. 有機(jī)與酸堿**不可混合﹐操作平臺(tái)也務(wù)必分開使用。
3. 酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽﹐并以DI Water沖玻璃杯5 min。
4. 酸堿空瓶以水清洗后﹐并依塑料瓶﹐玻璃瓶分開置于室外回收筒。
5. 氫氟酸會(huì)腐蝕骨頭﹐若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫(yī)。碰到其它酸堿則立即以DI Water大量沖洗。
6. 清洗后之Wafer盡量放在DI Water中避免污染。
7. 簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。
8. 去除正光阻步驟為1-2-10，或浸入ACE中以超音波振蕩。
 9. 每個(gè)玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液﹐蝕刻、清洗、電鍍、有機(jī)絕不能混合。
10. 廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機(jī)五種，分開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。
無塵室系統(tǒng)
使用操作方法
1. 首先打開控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)。
注意:
＊ 溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調(diào)整，一般溫度控制為20℃ DB ，濕度控制為50% RH。
＊左側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RU】，電流切換開關(guān)為【T】。右側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RS】，電流切換開關(guān)為【OFF】。
2. 將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)的送風(fēng)關(guān)關(guān)打開，等送風(fēng)穩(wěn)定后再將冷氣暖氣開關(guān)打開，此時(shí)紅色燈會(huì)亮起，表示正常運(yùn)作。
注意:
＊ 冷氣的起動(dòng)順序?yàn)閴嚎s機(jī)【NO.2】。
＊ 溫度調(diào)節(jié)為指針指向紅色暖氣【5】。
＊ 分流開關(guān)AIR VALVE 為【ON】。
3. 無塵室使用完畢后，要先將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)關(guān)閉，按【停止】鍵即可。
4. 再將控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)依序關(guān)閉。
 
氣體鋼瓶
使用操作方法
1.     用把手逆時(shí)針打開氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】打開PURGE關(guān)閉。
2.     由黑色轉(zhuǎn)鈕調(diào)整氣體鋼瓶的壓力(psi)，順時(shí)針方向?yàn)樵黾樱鏁r(shí)針方向?yàn)闇p少。
3.     將N2鋼瓶調(diào)整為40psi（黃光室內(nèi)為20psi）,AIR鋼瓶調(diào)整為80psi（黃光室內(nèi)為60psi）。
4.     氣體鋼瓶使用完畢后，用把手順時(shí)針關(guān)閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關(guān)閉【PURGE】打開將管路內(nèi)的氣體排出后將【PURGE】關(guān)閉。
純水系統(tǒng)
使用操作方法
1.   閥門控制
(1)   閥門(VALVE)V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、V16、V17、V19應(yīng)保持全開。
(2)    閥門V5、V7、V11、V18、V21應(yīng)保持全關(guān)。
(3)    閥門V9、V20為調(diào)壓作用，不可全開或全關(guān)。
(4)   閥門中V5為砂濾機(jī)之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。
2.   自動(dòng)造水
步驟1：如上【閥門控制】將各球閥門開關(guān)定位。
步驟2：控制箱上，各切換開關(guān)保持在【OFF】位置。
步驟3：將控制箱上【系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)】開關(guān)切換至【ON】位置。
步驟4：電磁閥1 激活先做初期排放。
步驟5：電磁閥2 激活造水。
步驟6：此時(shí)，PUMP1、PUMP2依序激活，系統(tǒng)正常造水，RO產(chǎn)水經(jīng)管路進(jìn)入儲(chǔ)水桶(TANK)，當(dāng)水滿后控制箱上高液位指示燈亮，系統(tǒng)自動(dòng)停機(jī)，并于儲(chǔ)水桶水位下降至低液位時(shí)再激活造水。
3.   系統(tǒng)用水
將控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)切換至【用水】，此時(shí)PUMP3輸送泵浦激活，TANK內(nèi)之純水經(jīng)幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后，供現(xiàn)場各使用點(diǎn)使用。
4.   夜間循環(huán)
控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)，主要在配合每日下班或連續(xù)假日停止供水后管路之衛(wèi)生考慮，其步驟為:
(1)   停止供水59分鐘后，系統(tǒng)再自動(dòng)供水1分鐘。
(2)   此后每隔59分鐘供水循環(huán)1分鐘至夜間循環(huán)【?！繛橹?。
5.   系統(tǒng)偵測
本系統(tǒng)中附有各項(xiàng)壓力表、流量計(jì)及導(dǎo)電度計(jì)，作為系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)之控制，其功能如下:
壓力表1：砂濾機(jī)進(jìn)水壓力
壓力表2：RO進(jìn)水壓力
壓力表3：RO排水壓力
壓力表4：DI進(jìn)水壓力
壓力表5：供水回流壓
流量計(jì)1：RO排水流量
流量計(jì)2：RO產(chǎn)水流量
另外，控制箱(機(jī)房)附有二段式LED導(dǎo)電度顯示屏，原水及產(chǎn)水分別切換顯示。
6.   系統(tǒng)維護(hù)
HF-RD系統(tǒng)，應(yīng)定期更新之耗材:
(1)   砂濾機(jī)應(yīng)定期逆時(shí)。
(2)預(yù)濾應(yīng)每1-2個(gè)月更新。
(3)膜管應(yīng)視其去除率及產(chǎn)水量做必要之清洗或更新。
(4)樹脂混床視比電阻值更新。
(5)精密過濾約每2-4個(gè)月更新。
7.  故障排除
     現(xiàn)      象 可能因素 排除方法
系統(tǒng)停機(jī)、系統(tǒng)無法激活 1.  外電源異常2.  系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)未按下3. 系統(tǒng)電路故障4.  馬達(dá)/泵浦故障 1.  檢查系統(tǒng)電源電路2. 按下系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)3.  通知廠商4.  更新馬達(dá)/泵浦
低產(chǎn)水量 1.  膜管排水量太高2.  壓力不足3.  膜管阻塞 1. 調(diào)整排水閥V92.  清洗膜管或更新膜管
低比電阻 1.  樹脂功能下降2.  RO去除率下降 1.  更換樹脂2.   更換RO膜組
 
光罩對準(zhǔn)機(jī)
使用操作方法
曝光機(jī)簡介
    在半導(dǎo)體制程中，涂布光阻后的芯片，須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影，此臺(tái)曝光機(jī)為OAI200系列，整合光罩對準(zhǔn)、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。
    OAI200系列為一入門型光罩對準(zhǔn)儀，可以手動(dòng)操作更改各項(xiàng)使用參數(shù)，如曝光時(shí)間、曝光強(qiáng)度及曝光功率等等。對于中高階的線寬有很好的顯影效果，此系列濟(jì)大可使用四吋的芯片，濟(jì)大的曝光功率為1KW。
曝光機(jī)使用步驟
1.     檢查氮?dú)怃撈俊碅IR 60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮?dú)忾y、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機(jī)下方延長線的紅色總開關(guān)，再開啟曝光機(jī)、顯微鏡。
2.    接上隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，進(jìn)行曝光機(jī)抽風(fēng)步驟，并檢查曝光機(jī)上方汞燈座后面進(jìn)風(fēng)口是否有進(jìn)氣。如果風(fēng)量微小或者無進(jìn)氣，則無法開啟汞燈的電源〈會(huì)有警報(bào)聲〉。確定進(jìn)風(fēng)口有進(jìn)氣后，才可開啟曝光機(jī)下方的汞燈電源供應(yīng)器ON/OFF開關(guān)。
3.    按住汞燈電源供應(yīng)器之START鍵，約1~3秒鐘，此時(shí)電流值會(huì)上升〈代表汞燈點(diǎn)亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點(diǎn)亮。
4.    汞燈點(diǎn)亮后，至少須待機(jī)30分鐘，使Lightsource系統(tǒng)穩(wěn)定。假使汞燈無法點(diǎn)亮，請不要作任何修護(hù)動(dòng)作。
5.    待系統(tǒng)穩(wěn)定后，把電源供應(yīng)器上的電壓、電流值填到紀(jì)錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀(jì)錄。
6.     旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍鉻面〉朝下，對準(zhǔn)三個(gè)基準(zhǔn)點(diǎn)，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。
注意：
＊ MASK Holder 必須放下時(shí)才能放置光罩。扳動(dòng)【MASK FRAME UP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。
＊ 先用氮?dú)獯倒庹趾蚆ASK Holder，光罩正面朝下，對準(zhǔn)黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個(gè)黑鐵邊。
＊ 檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。
7.     扳起【MASK FRAME UP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUB VAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASK FRAMEUP/DOWN】鍵，使MASK Holder放下。
8.     扳動(dòng)臺(tái)邊鈕(Ball LockButton)為Unlock，順時(shí)針方向慢慢旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)鈕(Z knob)，使芯片基座上升，直到傳動(dòng)皮帶感覺已拉緊即可，然后逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)ZKnob約15格，扳動(dòng)臺(tái)邊鈕(Ball Lock Button)為Lock。
注意：
＊ Z knob 每格約15 microns。
＊ 逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)Zknob，會(huì)使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準(zhǔn)時(shí)，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會(huì)直接摩擦。
＊ 若不須對準(zhǔn)時(shí)，可以不使用逆時(shí)針方向旋轉(zhuǎn)Z knob。
＊ 旋轉(zhuǎn)Zknob時(shí)，不論順時(shí)針或逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)，當(dāng)皮帶打滑時(shí)，代表芯片基座已和光罩接觸，此時(shí)不可逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)，而導(dǎo)致內(nèi)部螺栓松脫。
＊ CHUNK ¨ Z ¨ ADJUST一般為15A~20 A之間，且電流越小皮帶越松。
9.    移動(dòng)顯微鏡座，至光罩上方，作芯片與光罩的對準(zhǔn)校正。如須調(diào)整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調(diào)桿，校正芯片座X、Y及θ。
10.
 
100 SEC
1000 SEC
RESET
EXPOSE
SEC
曝光機(jī)面板左側(cè)如下圖：
 
注意：
＊曝光秒數(shù)有兩種設(shè)定，一種為1000SEC，一種為100SEC。當(dāng)按下1000SEC時(shí)，計(jì)數(shù)器濟(jì)大可設(shè)999秒的曝光時(shí)間；按下100SEC時(shí)，計(jì)數(shù)器濟(jì)大可設(shè)99.9秒的曝光時(shí)間。
＊ 再設(shè)定曝光秒數(shù)時(shí)要先測量汞燈的亮度，先按LAMP TEST再按住把手上的按鈕移動(dòng)基座至曝光機(jī)左端底，后然將OAI 306 UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完畢后按RESET，而且可多測幾個(gè)不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時(shí)間(SEC)即變可mJ的單位。
11. 設(shè)定好曝光秒數(shù)后，即可進(jìn)行曝光的程序。扳動(dòng)【CONTACT VAC.】至ON，【N2 PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會(huì)產(chǎn)生些許的真空。
注意:
＊【CONTACT VAC ADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa 左右。
12. 按住把手上的按鈕，此時(shí)基座才可移動(dòng)，移至曝光機(jī)左端底，放開按鈕，則曝光機(jī)會(huì)自動(dòng)進(jìn)行曝光的動(dòng)作。
13. 曝光完成后，即可將基座移回曝光機(jī)右端。扳動(dòng)扳動(dòng)【N2 PURGE】為OFF。再扳動(dòng)【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會(huì)充氮?dú)馄乒庹峙c芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。
14. 逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)Z knob，降下芯片基座至濟(jì)低點(diǎn)。松開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASK VAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。
15. 扳起【MASK FRAME UP/DOWN】為UP，使MASK Holder升起。扳動(dòng)【SUBVAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASK FRAME UP/DOWN】為DOWN。
16. 如須進(jìn)行再一次的曝光，則可重復(fù)上述步驟。
17. 完成所有的曝光程序后，先關(guān)掉顯微鏡光源產(chǎn)生器，再關(guān)掉汞燈電源供應(yīng)器?！搓P(guān)燈后一小時(shí)內(nèi)不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉
18. 先關(guān)隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，關(guān)掉曝光機(jī)的開關(guān)【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關(guān)掉曝光機(jī)下方的延長線總開關(guān)。待曝光機(jī)冷卻后，濟(jì)后再關(guān)掉墻上氮?dú)忾y及空氣閥。
熱蒸鍍機(jī)
使用操作方法
A.開機(jī)步驟
1. 開機(jī)器背面的總電源開關(guān)。
2. 開冷卻水，需先激活D.I Water 系統(tǒng)。
3. 開RP，熱機(jī)2分鐘。
4. 開三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。
5. 開DP，熱機(jī)30分鐘(熱機(jī)同時(shí)即可進(jìn)行Sample 之清洗與裝載，以節(jié)省時(shí)間)。
B.裝載
1. 開Vent，進(jìn)氣之后立刻關(guān)閉。
2. 開Chamber。
3.  Loading Sample、Boat及金屬。
4. 以Shutter擋住Sample。
5. 關(guān)Chamber，關(guān)門時(shí)務(wù)必注意門是否密合，因機(jī)器年久失修，通常須用手壓緊門的右上角。
C.抽真空
1. 初抽
  (1)三向閥切至R.V位置(濟(jì)好每隔幾分鐘就切換到F.V一下，以免DP內(nèi)的幫浦油氣分子擴(kuò)散進(jìn)入chamber中)。
  (2) 真空計(jì)VAP-5顯示至5´10-2 torr時(shí)三向閥切至F.V，等30秒。
2. 細(xì)抽
  (1) M.V ON，記錄時(shí)間。
  (2) ION GAUGE ON，壓下Fil 點(diǎn)燃燈絲(需要低于10-3 Torr以下才抽氣完成)。
D.蒸鍍
1. 壓力約2´10-5 Torr時(shí)，開始加入液態(tài)氮。
2. 壓力低于2´10-6 Torr時(shí)，記錄壓力及抽氣時(shí)間并關(guān)掉ION GAUGE。
3.  Heater Power ON (確定Power調(diào)整鈕歸零)。
4. 選擇BOAT1 or BOAT2。
5. 蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。
注意:
 ＊ 鍍金時(shí)，儀表上電流約100A，鍍Al時(shí)電流可稍微小些，約70~80A。
＊ 當(dāng)BOAT高熱發(fā)出紅光時(shí)，應(yīng)立即關(guān)閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。
＊ 空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開Shutter，開始蒸鍍。
 ＊ 蒸鍍完成后，立刻關(guān)閉HeaterPower，等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。
E.破真空
1. Substrate Hold溫度需要降至常溫。
2. ION GAUGE 【POWER】OFF。
3. M.V OFF。
4. DP OFF 冷卻30~60分鐘。
5. 開Vent(進(jìn)氣后立刻關(guān)閉)。
6. 開Chamber，取出Sample及BOAT。
7. 關(guān)Chamber，注意將門關(guān)緊。
 
F.關(guān)機(jī)
1. 關(guān)F.V。
2. 開R.V，抽至0.01 Torr之后關(guān)閉。
3. 開F.V，30秒后三向閥切至關(guān)閉之位置。
4. RP OFF。
5. 關(guān)總電源。
6. 關(guān)冷卻水。
7. 關(guān)氮?dú)狻?br>注意：
＊ 蒸鍍時(shí)，電流應(yīng)緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。
＊ 若接續(xù)他人使用，液態(tài)氮可少灌一點(diǎn)兒，約三分之一筒即可。
氧化爐管
使用操作方法
氧化爐管簡介
    本實(shí)驗(yàn)室所采用之氧化爐管為Lenton LTF1200水平管狀式爐子，可放2英吋硅晶圓，加熱區(qū)大于50cm，濟(jì)高溫度可達(dá)1200°C并可連續(xù)24hr，濟(jì)大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動(dòng)溫度控制器。
目的
   將硅芯片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時(shí)間后，我們可以在硅芯片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。
注意:
＊在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應(yīng)時(shí)【l】將會(huì)發(fā)光，而氧化爐也將開始加熱。
＊如果過溫保護(hù)裝置是好的，請確定警報(bào)點(diǎn)的設(shè)定于目前的使用過程中為恰當(dāng)?shù)?。如果過熱保護(hù)裝置是好的，蜂嗚器會(huì)有聲音，在過溫控制操作中有警報(bào)一致的程序。
＊ 為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率濟(jì)大不能超過3°C per min。
＊ 為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當(dāng)?shù)氖褂媒^緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。
＊ 在操作氧化爐時(shí)不要在濟(jì)大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。
操作步驟:
1. 檢查前一次操作是否有異常問題發(fā)生，并填寫操作記錄。
2. 檢查機(jī)臺(tái)狀態(tài)
(1) 控制面板狀態(tài)：使用前先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【O】關(guān)閉的狀態(tài)。
(2) 加熱控制器: Lenton LTF 1200溫度>400°C，前后段爐溫差£40°C。
(3) 氣體控制:H2【OFF】，O2 【OFF】。
3. 將芯片緩慢的推入爐管內(nèi)。
4. 打開墻上H2、O2之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。
5. 設(shè)定預(yù)設(shè)氣體（H2 、O2）流量值及爐溫。
6. 按下【HEAT】Switch為【l】，此時(shí)爐溫將從恒溫(400°C)慢慢加熱至標(biāo)準(zhǔn)制程溫度1100°C，升溫速率濟(jì)大不能超過3°C per min。
7.     待爐溫降至恒溫后將芯片取出。
8.     關(guān)閉H2、O2 。
9.     關(guān)閉爐管后端H2之開關(guān)及墻上之開關(guān)和機(jī)房的氣瓶調(diào)壓閥。
10. 檢查爐管是否完成關(guān)機(jī)動(dòng)作。
11. 填寫操作記錄之終了時(shí)間和異常保護(hù)及說明。
 
 
涂布機(jī)
使用操作方法
1. 首先將PUMP的電源插頭插入涂布機(jī)后面的電源插座。
2. 將涂布機(jī)的插頭插入110V的電源插座，然后按下【POWER】鍵。
3. 設(shè)定旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速及時(shí)間，本機(jī)型為二段式加速的Spin Coating，右邊為弟一段加速，左邊為弟二段加速。
4. 依不同尺寸的基材，可更換不同的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤做涂布的動(dòng)作。
5.按下【PUMP】鍵，此時(shí)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會(huì)吸住基材，然后將光阻依螺旋狀從基材中心均勻且慢慢的往外涂開至適當(dāng)?shù)牧?，在做光阻涂開動(dòng)作時(shí)可先用氮?dú)鈱⑿D(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤周圍及基材吹干凈。
6. 蓋上涂布機(jī)的保護(hù)蓋，以防止光阻濺出涂布機(jī)外。
7. 按下【START】鍵，涂布機(jī)便開始做涂布的動(dòng)作。
8. 涂布完畢后，打開保護(hù)蓋，按下【PUMP】鍵旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤會(huì)放開基材，便可以將基材取出。
 
熱風(fēng)循環(huán)烘箱
使用操作方法
1. 本機(jī)使用電壓110V/60HZ。
2. 確認(rèn)電壓后，將電源線插入110V的插座。
3. 打開【POWER】開關(guān)，此時(shí)溫度表PV即顯示箱內(nèi)實(shí)際溫度。
4. 首先按【SET】鍵ÿ，SV會(huì)一直閃爍此時(shí)即可開始設(shè)定溫度，而SV的字幕窗會(huì)呈現(xiàn)高亮度，在高亮度的位置可設(shè)定所需的溫度，只要再按【SET】鍵ÿ高亮度會(huì)隨之移動(dòng)，在高亮度的地方即可設(shè)定溫度。
5. 按上移鍵▲表示溫度往上遞增，按下移鍵▼則溫度往下遞減。
6. 當(dāng)完成以上設(shè)定溫度之后(SV仍閃爍不停)此時(shí)只要按一次【ENT】鍵SV即呈現(xiàn)剛才所設(shè)定的溫度(PV顯示實(shí)際溫度)。
7. 加熱燈OUT顯示燈亮?xí)r表示機(jī)器正在加熱中，而到達(dá)設(shè)定點(diǎn)時(shí)OUT會(huì)一閃一爍(正?，F(xiàn)象)。
8. AT燈亮?xí)r表示溫度正自動(dòng)演算中。
9. ALM-1紅色燈亮?xí)r表示溫度過熱(溫度會(huì)自動(dòng)降溫)。
    10. ALM-2紅色燈亮?xí)r表示溫度過低(溫度會(huì)自動(dòng)加溫)。
    11. 溫度范圍:40℃~210℃。   半導(dǎo)體無塵室可靠工作規(guī)范