新近的行業(yè)發(fā)展說明，在測量半導體的結構元件時，由于結構元件的不斷減小，使測量和污染物控制的關系越來越緊密。
Therma-Wave有限公司已經(jīng)開始大量生產(chǎn)一種薄膜式的關鍵尺寸測量工具，它將公司分子污染物清潔系統(tǒng)進行了改良，并做成了內(nèi)置式的。這個具有解吸作用的裝置，能**晶片表面聚集的分子污染物，從而可以對薄膜進行測量。
KLA-Tencor公司生產(chǎn)的光學薄膜式測量產(chǎn)品中有解吸作用的模塊。據(jù)KLA-Tencor公司的技術專家Arun Srivatsa介紹，這個模塊通常用來清潔、測量目標，并在使用劃線器劃線的測量目標上進行可選測量。他補充說明到，這項技術是將晶片表面的一小塊區(qū)域加熱，從而使得有機物蒸發(fā)，這在65納米及以下的生產(chǎn)工藝中，測量柵氧化層和其他超薄薄膜時具有很高的利用價值。
這些薄膜的厚度小于50埃（牛 5納米。KLA-Tencor公司的研究表明：柵氧化層形成后的兩個小時內(nèi)，空氣分子污染物的聚集可能超過0.5埃。這足以導致薄膜光學測量的失敗，因為十分之一埃的誤差就將導致測量工具顯示錯誤的結論。
所以，量具公司必須引進一種叫“使用點”的污染物清潔控制。只有先除去污染物后進行測量，才能保證得到正確的結果。
濟近，Xidex公司表示他的納米碳管將應用在半導體測量工具上。該行業(yè)想使用納米碳管制造掃描式探針顯微鏡的**。這些**像微型探針一樣運動，可以描繪出分