一、前言
半導(dǎo)體生產(chǎn)製程包含精密的微機(jī)電和積體電路，對於生產(chǎn)環(huán)境之潔淨(jìng)度的要求特別嚴(yán)
格，因此整個(gè)製造過程都在嚴(yán)格控制的環(huán)境條件下，也就是一般熟悉的潔淨(jìng)室
(cleanroom)。傳統(tǒng)上，潔淨(jìng)室的潔淨(jìng)度分級定義，乃根據(jù)美國聯(lián)邦標(biāo)準(zhǔn)弟209E規(guī)定，以
每立方英尺空氣中大於或等於0.5微米(≧0.5 μm)之微粒的數(shù)目作為潔淨(jìng)室的潔淨(jìng)度分級
標(biāo)準(zhǔn)，例如class 100的潔淨(jìng)度即表示每立方英尺空氣中≧0.5 μm的微粒數(shù)目不得大於
100顆。然而隨著製程特徵尺寸(feature size)的快速縮小，傳統(tǒng)的潔淨(jìng)度分級已無法滿
足生產(chǎn)製程對環(huán)境中之空氣污染標(biāo)準(zhǔn)的嚴(yán)格要求。
傳統(tǒng)上，HEPA和ULPA是半導(dǎo)體製程中賴以控制微粒污染的技術(shù)，但隨著製程特徵尺
寸由0.25 μm快速演進(jìn)到0.13 μm，甚至奈米(<0.1μm)製程時(shí)，越來越多的研究發(fā)現(xiàn)，
潔淨(jìng)室空氣中存在的懸浮分子污染物(Airborne Molecular Contaminants, AMC)，將會對
不同製程產(chǎn)生**的影響，嚴(yán)重時(shí)可能對產(chǎn)品造成致命的缺陷(killer defect)而影響良
率。

二、懸浮分子污染物的分類
何謂AMC(Airborne Molecular Contaminants, 懸浮分子污染物)？簡而言之：對產(chǎn)品
或製程的良率有決定性影響的非粒狀懸浮化學(xué)污染。國際半導(dǎo)體設(shè)備及材料協(xié)會
(Semiconductor Equipment and Materials International, SEMI)在SEMI F21-95 (現(xiàn)為
F21-1102)的標(biāo)準(zhǔn)中，根據(jù)化學(xué)品的特性，將潔淨(jìng)室中的空氣污染物分為酸(Molecular
Acids, MA)、鹼(Molecular Bases, MB)、可凝結(jié)物(Molecular Condensables, MC)和摻雜
物(Molecular Dopants, MD)四大類，其定義如下：
MA：包括鹽酸、硝酸、硫酸、氫氟酸等 MB：鹼包括氨、HMDS、TMAH、NMP和胺(amines)等 MC：指常壓下沸點(diǎn)大於室溫且會在表面凝結(jié)的化學(xué)物質(zhì)，但不包含水

MD：可改變半導(dǎo)體物質(zhì)之電性的化學(xué)元素如硼、磷、砷等

同時(shí)參照以空氣中微粒數(shù)的潔淨(jìng)度分類方式，以每十億分之一體積(pptv)的濃度對應(yīng)每立
方英尺中一個(gè)微粒，將潔淨(jìng)室內(nèi)的潔淨(jìng)度依照MA、MB、MC和MD分級如表一。


同時(shí)，針對各種特徵尺寸之生產(chǎn)環(huán)境的空氣中AMC濃度要求，International
Technology Roadmap for Semiconductor (ITRS)分別針對0.25 μm到0.10 μm等製程技
術(shù)的生產(chǎn)環(huán)境，建議嚴(yán)格的空氣品質(zhì)要求標(biāo)準(zhǔn)(表二)。

三、AMC對製程良率的影響
SEMATECH研究各種AMC對0.25 μm製程之良率的影響，發(fā)現(xiàn)不同AMC對不同的製程影
響度不一，表三為0.25 μm製程環(huán)境中各種AMC的建議標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)SEMATECH的研究，MD對Pre-Gate Oxidation製程的良率影響濟(jì)大，在此製程，MD的建議標(biāo)準(zhǔn)為0.1 pptM，MC則為1,000 pptM (1 ppbM)，但MA和 MB的影響相對地較小，容許濃度為13,000 pptM (13 ppbM)；Salicidation製程對空氣中的MA較敏感，建議標(biāo)準(zhǔn)為180 pptM；同樣地，Contact Formation製程也受MA的影響較大，製程環(huán)境的標(biāo)準(zhǔn)為5 pptM；至於DUV Photolithography製程，對環(huán)境中的MB有較嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)，建議濟(jì)高的MB不得超過1,000 pptM (1 ppbM)。表四為各種污染物對製程、設(shè)備和產(chǎn)品良率的影響。其中，DUV微影製程受到amines的影響造成T型頂(T-topping)或線距改變的情形，在眾多的研究中已被證實(shí)，例如Kinkead等人研究發(fā)現(xiàn)晶圓暴露在4 ppbv的ammonia下，只要10分鐘的時(shí)間，就會造成線寬改變。

四、潔淨(jìng)室 AMC 的來源
潔淨(jìng)室內(nèi)的AMC來源大致包括外氣、製程化學(xué)品、機(jī)臺設(shè)備、潔淨(jìng)室內(nèi)工作人員和潔
淨(jìng)室建材等。外氣的污染包括他廠和自己的煙囪排放，汽機(jī)車排放的廢氣，經(jīng)由外氣補(bǔ)充口(Makeup Air Unit)再吸回潔淨(jìng)室內(nèi)；製程化學(xué)品的逸散包括機(jī)臺、製程設(shè)備、維護(hù)保養(yǎng)(Preventive Maintenance, PM)和化學(xué)品異常洩漏；潔淨(jìng)室內(nèi)工作人員本身也會釋放某些[5]污染物，尤其是胺類(MB)，Kishkovich和Larson在其研究中發(fā)現(xiàn)，無塵室中工作人員的身體和吐氣會釋放出高濃度的MB，在無塵室中量測五個(gè)**的腋窩顯示MB的濃度由80 ppb(女性)到3800 ppb(抽煙習(xí)慣的男性)；不抽煙的男性其MB的濃度為100 ppb和850 ppb，抽煙者的MB濃度則高達(dá)2400 ppb 和 3400 ppb；呼吸所吐出的MB濃度則分別為40 ppb(女性)，到抽煙者的 800 ppb 以上。此外潔淨(jìng)室所使用的建築材料也會釋放 AMC，溶劑、塗料、建材和黏著劑等都會釋放有機(jī)物。 除了前述之主要的AMC來源，在潔淨(jìng)室內(nèi)的AMC來源還包括清潔溶劑的逸散，機(jī)器設(shè)備的冷卻液，甚至於無塵室使用的乳膠手套都會釋放微量的氨和有機(jī)胺。

五、結(jié)語
根據(jù)CleanRooms，平均而言，一個(gè)Fab每年會有一次的AMC事件，但較新的Fab則因
為新建築材料的氣體逸散，導(dǎo)致潔淨(jìng)室的AMC問題更為普遍。傳統(tǒng)上，潔淨(jìng)室的粒狀物控制可藉由各式的過濾系統(tǒng)(HEPA、ULPA)，但相較於粒徑0.05~0.5 μm，AMC的分子徑在-10 10~100? (10m)之間，傳統(tǒng)的過濾系統(tǒng)無法有效地去除AMC，因此越來越多的Fab依賴chemical filter去除AMC，但chemical filter的價(jià)格昂貴，且當(dāng)AMC濃度太高chemical
filter很快就會達(dá)飽和而失去過濾效果。然而濃度過高的AMC又會對製程和產(chǎn)品的良率造成決定性的影響，Kinkead等人的研究結(jié)果估計(jì)因?yàn)椴煌暾木A生產(chǎn)環(huán)境控制所造成的
[6]量產(chǎn)延遲損失，每天高達(dá)美金2,500,000 。 什麼時(shí)候調(diào)查潔淨(jìng)室的AMC？當(dāng)製程或產(chǎn)品因?yàn)閼腋》肿游廴径率沽悸驶蚬δ芟陆担蜓u程設(shè)備因AMC而造成腐蝕影響其效能穩(wěn)定時(shí)，進(jìn)行AMC的調(diào)查通常只能依據(jù)當(dāng)時(shí)
的調(diào)查結(jié)果，推估研判事件的原因，其效果有相當(dāng)?shù)南拗啤ａ槍θ我粷崪Q(jìng)室而言，由於目前仍缺乏完整且靈敏度高(低偵測下限)的即時(shí)、連續(xù)直讀的監(jiān)測儀器，因此平常就必須要規(guī)劃定期的調(diào)查，以建立潔淨(jìng)室的AMC基準(zhǔn)線，當(dāng)製程或生產(chǎn)異常時(shí)，藉著基準(zhǔn)值和事件發(fā)生時(shí)之AMC測值的比較，才能迅速確實(shí)地找出問題的發(fā)生點(diǎn)，做有效的改正措施，以減少因AMC所造成的損失。